작성일
2019.02.20
수정일
2019.02.20
작성자
김인경
조회수
1744

남일구 교수님 한국반도체학술대회 '강대원賞' 수상

 

 

전기컴퓨터공학부 전기공학전공 남일구(사진) 교수가 2월 13일부터 15일까지 강원도 웰리힐리파크에서 개최된 ‘제26회 한국반도체학술대회’에서 ‘제3회 강대원賞’을 수상했다.


‘강대원賞’은 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)을 세계 최초로 개발해 트랜지스터의 미세화 및 대량 생산에 공헌하고, NAND Flash에서 사용되는 플로팅 게이트(Floating Gate) 기술을 최초로 개발하는 등 반도체 역사에서 기념비적인 업적을 남긴 한국이 낳은 세계적인 반도체 연구자 고(故) 강대원 박사(1931-1992)의 업적을 기리기 위해 제정된 상이다.


회로 및 시스템 분야 전문가인 남일구 교수는 무선 주파수 CMOS 송수신기 제품 개발에 적용되는 저주파수 잡음 문제와 오프셋 문제 등을 획기적으로 개선했다. 발표한 관련 논문의 피인용 횟수가 300회를 넘는 등 이 분야 학문 발전에 기여한 업적을 인정받아 수상자로 선정됐다.


한편, 이번 학술대회는 DB하이텍과 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합 공동주관으로 열렸다.

(2019.2.19.)

 


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